Производитель Номер продукта:
SI7794DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7794DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 28.6A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12917249
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7794DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28.6A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2520 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7794
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQJA46EP-T1_GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3000
Номер части
SQJA46EP-T1_GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.50
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7868ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
SQ2361EES-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
PMN70XPEAX
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
