Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SI7806ADN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7806ADN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12916162
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7806ADN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7806
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SI7806ADN-T1-GE3
HTML Спецификация
SI7806ADN-T1-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
CSD17579Q3A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
41250
Номер части
CSD17579Q3A-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
NTTFS4C13NTAG
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1349
Номер части
NTTFS4C13NTAG-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.34
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
CSD17579Q3AT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5016
Номер части
CSD17579Q3AT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.44
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3E120BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2880
Номер части
RQ3E120BNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3E100BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
95904
Номер части
RQ3E100BNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.11
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7629DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
SI6415DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
SI3437DV-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
SI7113ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK