Производитель Номер продукта:
SI7812DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7812DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 75 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
55577 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965974
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7812DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
37mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
840 pF @ 35 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7812
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7812DN-T1-GE3-DG
SI7812DNT1GE3
SI7812DN-T1-GE3CT
SI7812DN-T1-GE3TR
SI7812DN-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIRA14BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
PSMN1R0-40YLD/1X
MOSFET
PSMN0R7-25YLD/1X
MOSFET
