Производитель Номер продукта:
SI7820DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7820DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 200 V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
11914 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12919511
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7820DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7820
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7820DN-T1-GE3CT
SI7820DN-T1-GE3TR
SI7820DN-T1-GE3DKR
SI7820DNT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUP28N15-52-E3
MOSFET N-CH 150V 28A TO220AB
SI6473DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
SI4845DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO
