Производитель Номер продукта:
SI7852DP-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7852DP-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
11441 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915688
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7852DP-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7852
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7852DP-T1-E3-DG
SI7852DP-T1-E3TR
SI7852DPT1E3
SI7852DP-T1-E3CT
SI7852DP-T1-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ410EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
SI7882DP-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
SI7115DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
