Производитель Номер продукта:
SI7858ADP-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7858ADP-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 12 V 20A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
5150 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915826
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7858ADP-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5700 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7858
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7858ADP-T1-E3CT
SI7858ADP-T1-E3DKR
SI7858ADPT1E3
SI7858ADP-T1-E3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI9424BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SO
SQM40010EL_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
SQ4005EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
