Производитель Номер продукта:
SI7862ADP-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7862ADP-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 16 V 18A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12920055
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7862ADP-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
16 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 29A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7340 pF @ 8 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7862
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7862ADP-T1-E3-DG
SI7862ADP-T1-E3DKR
SI7862ADP-T1-E3CT
SI7862ADP-T1-E3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHA690N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220
SI7454DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
SIA106DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK