Производитель Номер продукта:
SI7960DP-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7960DP-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Инвентаризация:
12913526
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7960DP-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.2A
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
1.4W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта
SI7960
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7960DP-T1-E3CT
SI7960DP-T1-E3TR
SI7960DP-T1-E3DKR
SI7960DPT1E3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI7252DP-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SI7252DP-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.83
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4539ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
SI7216DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
