Производитель Номер продукта:
SI7997DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7997DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Инвентаризация:
21824 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786528
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7997DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
160nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6200pF @ 15V
Мощность - Макс
46W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта
SI7997
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIZF906DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
SQJQ906E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
SI7909DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
