Производитель Номер продукта:
SI8404DB-T1-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8404DB-T1-E1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Подробное описание:
N-Channel 8 V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Инвентаризация:
12915406
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8404DB-T1-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
31mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1950 pF @ 4 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Microfoot
Упаковка / Чехол
4-XFBGA, CSPBGA
Базовый номер продукта
SI8404
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8404DBT1E1
SI8404DB-T1-E1CT
SI8404DB-T1-E1TR
SI8404DB-T1-E1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR9010TRR
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
SI7742DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI7196DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8