Производитель Номер продукта:
SI8406DB-T2-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8406DB-T2-E1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Подробное описание:
N-Channel 20 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Инвентаризация:
5466 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12913586
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8406DB-T2-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
33mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
850mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
830 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Упаковка / Чехол
6-UFBGA
Базовый номер продукта
SI8406
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8406DBT2E1
742-SI8406DB-T2-E1TR
742-SI8406DB-T2-E1CT
SI8406DB-T2-E1TR-DG
SI8406DB-T2-E1CT-DG
SI8406DB-T2-E1CT
SI8406DB-T2-E1DKR
742-SI8406DB-T2-E1DKR
SI8406DB-T2-E1TR
SI8406DB-T2-E1DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFR18N90P
MOSFET N-CH 900V 10.5A ISOPLS247
IXFR80N60P3
MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
SI4866DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
