Производитель Номер продукта:
SI8409DB-T1-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8409DB-T1-E1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Подробное описание:
P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Инвентаризация:
7976 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921422
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8409DB-T1-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
46mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.47W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Microfoot
Упаковка / Чехол
4-XFBGA, CSPBGA
Базовый номер продукта
SI8409
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8409DB-T1-E1TR
SI8409DBT1E1
SI8409DB-T1-E1DKR
SI8409DB-T1-E1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
SIR168DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
DI9952T
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
