SI8417DB-T2-E1
Производитель Номер продукта:

SI8417DB-T2-E1

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI8417DB-T2-E1-DG

Описание:

MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT
Подробное описание:
P-Channel 12 V 14.5A (Tc) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)

Инвентаризация:

12913034
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI8417DB-T2-E1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2220 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Упаковка / Чехол
6-MICRO FOOT®CSP
Базовый номер продукта
SI8417

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
SI8499DB-T2-E1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5505
Номер части
SI8499DB-T2-E1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFR9110PBF

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

littelfuse

IXFX60N55Q2

MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247-3

vishay-siliconix

IRFZ34L

MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3

vishay-siliconix

IRFPC40PBF

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3