Производитель Номер продукта:
SI8429DB-T1-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8429DB-T1-E1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Подробное описание:
P-Channel 8 V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Инвентаризация:
20174 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917673
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8429DB-T1-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1640 pF @ 4 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Microfoot
Упаковка / Чехол
4-XFBGA, CSPBGA
Базовый номер продукта
SI8429
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8429DB-T1-E1DKR
SI8429DBT1E1
SI8429DB-T1-E1CT
SI8429DB-T1-E1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3483CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
SQJA84EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
SIHS36N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247