Производитель Номер продукта:
SI8457DB-T1-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8457DB-T1-E1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Подробное описание:
P-Channel 12 V 6.5A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Инвентаризация:
5800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918326
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8457DB-T1-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
93 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2900 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Упаковка / Чехол
4-UFBGA
Базовый номер продукта
SI8457
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8457DB-T1-E1DKR
SI8457DB-T1-E1CT
SI8457DB-T1-E1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SI4840DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
SI4446DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
