Производитель Номер продукта:
SI8465DB-T2-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8465DB-T2-E1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Инвентаризация:
90 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920625
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8465DB-T2-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
104mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
450 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Microfoot
Упаковка / Чехол
4-XFBGA, CSPBGA
Базовый номер продукта
SI8465
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8465DB-T2-E1TR
SI8465DBT2E1
SI8465DB-T2-E1CT
SI8465DB-T2-E1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
VS-FA38SA50LCP
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
SI8447DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT
