Производитель Номер продукта:
SI8475EDB-T1-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8475EDB-T1-E1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Подробное описание:
P-Channel 20 V 4.9A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Инвентаризация:
12918227
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8475EDB-T1-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
32mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Microfoot
Упаковка / Чехол
4-XFBGA, CSPBGA
Базовый номер продукта
SI8475
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8475EDB-T1-E1CT
SI8475EDB-T1-E1TR
SI8475EDBT1E1
SI8475EDB-T1-E1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHS20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247
PSMN069-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
BUK6D81-80EX
MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
