Производитель Номер продукта:
SI8805EDB-T2-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8805EDB-T2-E1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Подробное описание:
P-Channel 8 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Инвентаризация:
12912518
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8805EDB-T2-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±5V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Microfoot
Упаковка / Чехол
4-XFBGA, CSPBGA
Базовый номер продукта
SI8805
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8805EDB-T2-E1-DG
SI8805EDB-T2-E1CT
SI8805EDB-T2-E1TR
SI8805EDB-T2-E1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI8823EDB-T2-E1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2971
Номер части
SI8823EDB-T2-E1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4410BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
IRLI520G
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
IXFA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263