Производитель Номер продукта:
SI8808DB-T2-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8808DB-T2-E1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Подробное описание:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Инвентаризация:
8727 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12912427
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8808DB-T2-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
330 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Microfoot
Упаковка / Чехол
4-UFBGA
Базовый номер продукта
SI8808
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8808DBT2E1
SI8808DB-T2-E1CT
SI8808DB-T2-E1TR
SI8808DB-T2-E1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFD9014PBF
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
IRFP22N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
IRFP140PBF
MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3
