Производитель Номер продукта:
SI9407BDY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI9407BDY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 60 V 4.7A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
22594 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920161
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI9407BDY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI9407
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI9407BDY-T1-GE3DKR
SI9407BDY-T1-GE3CT
SI9407BDYT1GE3
Q6936817FJ
SI9407BDY-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7121ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
SISS70DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
SI5435BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
