Производитель Номер продукта:
SI9926CDY-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI9926CDY-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
7182 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786811
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI9926CDY-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200pF @ 10V
Мощность - Макс
3.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
SI9926
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI9926CDY-T1-E3-DG
SI9926CDY-T1-E3CT
SI9926CDY-T1-E3TR
SI9926CDY-T1-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA931DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
SQ4532AEY-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
