SI9945BDY-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI9945BDY-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI9945BDY-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

48850 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914940
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI9945BDY-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.3A
Rds On (макс.) @ id, vgs
58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
665pF @ 15V
Мощность - Макс
3.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
SI9945

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI9945BDY-T1-GE3TR
SI9945BDY-T1-GE3CT
SI9945BDY-T1-GE3-DG
SI9945BDYT1GE3
SI9945BDY-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI4276DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4920DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

vishay-siliconix

SI4943BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8SOIC

vishay-siliconix

SI1551DL-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6