Производитель Номер продукта:
SIA426DJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA426DJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Подробное описание:
N-Channel 20 V 4.5A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Инвентаризация:
12913598
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA426DJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
23.6mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1020 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта
SIA426
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA426DJ-T1-GE3CT
SIA426DJT1GE3
SIA426DJ-T1-GE3TR
SIA426DJ-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PMPB23XNE,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
PMPB23XNE,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.09
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFU214PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
IRFR9110TRRPBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
SI4421DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO