Производитель Номер продукта:
SIA444DJT-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA444DJT-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Инвентаризация:
12959904
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA444DJT-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
560 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта
SIA444
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA444DJT-T1-GE3-DG
SIA444DJT-T1-GE3DKR
SIA444DJT-T1-GE3CT
SIA444DJT-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIA400EDJ-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
151951
Номер части
SIA400EDJ-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR9110TR
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
IRFPG50PBF
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
SI2327DS-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
