Производитель Номер продукта:
SIA817EDJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA817EDJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Подробное описание:
P-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Инвентаризация:
1806 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917873
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA817EDJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
LITTLE FOOT®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Базовый номер продукта
SIA817
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA817EDJ-T1-GE3TR
SIA817EDJ-T1-GE3CT
SIA817EDJ-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI1307DL-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3
SUM90142E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO263
SI6466ADQ-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
