Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIA906EDJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Инвентаризация:
119578 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915595
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA906EDJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350pF @ 10V
Мощность - Макс
7.8W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Базовый номер продукта
SIA906
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIA906EDJ-T1-GE3
HTML Спецификация
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA906EDJT1GE3
SIA906EDJ-T1-GE3DKR
SIA906EDJ-T1-GE3TR
SIA906EDJ-T1-GE3CT
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4931DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
MMIX2F60N50P3
MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
SI6966DQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
SI4908DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC