SIA906EDJ-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIA906EDJ-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIA906EDJ-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Инвентаризация:

119578 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915595
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIA906EDJ-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350pF @ 10V
Мощность - Макс
7.8W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Базовый номер продукта
SIA906

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA906EDJT1GE3
SIA906EDJ-T1-GE3DKR
SIA906EDJ-T1-GE3TR
SIA906EDJ-T1-GE3CT
SIA906EDJ-T1-GE3-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI4931DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

littelfuse

MMIX2F60N50P3

MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD

vishay-siliconix

SI6966DQ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

vishay-siliconix

SI4908DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC