Производитель Номер продукта:
SIA910EDJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Инвентаризация:
2096 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12963199
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA910EDJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
455pF @ 6V
Мощность - Макс
7.8W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Базовый номер продукта
SIA910
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA910EDJ-T1-GE3DKR
SIA910EDJ-T1-GE3CT
SIA910EDJ-T1-GE3TR
SIA910EDJT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FS03MR12A6MA1LB
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
SI4505DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
SSM6N7002KFU,LXH
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
