Производитель Номер продукта:
SIAA00DJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIAA00DJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 25 V 20.1A (Ta), 40A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Инвентаризация:
5900 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916442
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIAA00DJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.1A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+16V, -12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1090 pF @ 12.5 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта
SIAA00
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIAA00DJ-T1-GE3DKR-DG
SIAA00DJ-T1-GE3TR-DG
2266-SIAA00DJ-T1-GE3TR
SIAA00DJ-T1-GE3CT-DG
742-SIAA00DJ-T1-GE3DKR
SIAA00DJ-T1-GE3CT
742-SIAA00DJ-T1-GE3CT
SIAA00DJ-T1-GE3TR
742-SIAA00DJ-T1-GE3TR
SIAA00DJ-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISS02DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
SIHG28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
IXTP5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO220AB
