Производитель Номер продукта:
SIAA40DJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIAA40DJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Подробное описание:
N-Channel 40 V 30A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Инвентаризация:
5144 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12959811
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIAA40DJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
19.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Single
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта
SIAA40
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIAA40DJ-T1-GE3DKR
742-SIAA40DJ-T1-GE3DKR
SIAA40DJ-T1-GE3DKR-DG
SIAA40DJ-T1-GE3TR-DG
SIAA40DJ-T1-GE3CT-DG
742-SIAA40DJ-T1-GE3CT
SIAA40DJ-T1-GE3CT
742-SIAA40DJ-T1-GE3TR
SIAA40DJ-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFIZ34GPBF
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
SI7718DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
IRFR9214TRR
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
