Производитель Номер продукта:
SIB417EDK-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIB417EDK-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Подробное описание:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Инвентаризация:
12918589
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIB417EDK-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
58mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
565 pF @ 4 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-75-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-75-6
Базовый номер продукта
SIB417
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIB417EDK-T1-GE3DKR
SIB417EDK-T1-GE3CT
SIB417EDK-T1-GE3TR
SIB417EDKT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUD50N02-06P-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
SIA444DJT-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAK
SI7456DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
