Производитель Номер продукта:
SIB452DK-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIB452DK-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Подробное описание:
N-Channel 190 V 1.5A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Инвентаризация:
49100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917158
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIB452DK-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
190 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
135 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-75-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-75-6
Базовый номер продукта
SIB452
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIB452DK-T1-GE3DKR
SIB452DKT1GE3
SIB452DK-T1-GE3CT
SIB452DK-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3433CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
SQ3425EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
SIS478DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
