SIB455EDK-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIB455EDK-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIB455EDK-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Подробное описание:
P-Channel 12 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

Инвентаризация:

12965912
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIB455EDK-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±10V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-75-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-75-6
Базовый номер продукта
SIB455

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIB455EDK-T1-GE3TR
SIB455EDKT1GE3
SIB455EDK-T1-GE3DKR
SIB455EDK-T1-GE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
SIB441EDK-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2930
Номер части
SIB441EDK-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.12
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI7469DP-T1-E3

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHP6N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB

vishay-siliconix

SUG80050E-GE3

MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC

infineon-technologies

ISZ0602NLSATMA1

MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON