Производитель Номер продукта:
SIDR220EP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIDR220EP-T1-RE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 25 V 92.8A (Ta), 415A (Tc) 6.25W (Ta), 415W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Инвентаризация:
5988 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12993533
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIDR220EP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
92.8A (Ta), 415A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+16V, -12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10850 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 415W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8DC
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIDR220EP-T1-RE3TR
742-SIDR220EP-T1-RE3DKR
742-SIDR220EP-T1-RE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ISC036N04NM5ATMA1
40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
MCU15N10B-TP
Interface
STB30N65DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
