Производитель Номер продукта:
SIDR626LEP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIDR626LEP-T1-RE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 60 V 48.7A (Ta), 218A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Инвентаризация:
6000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965598
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIDR626LEP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
48.7A (Ta), 218A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5900 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
7.5W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8DC
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIDR626LEP-T1-RE3CT
742-SIDR626LEP-T1-RE3TR
742-SIDR626LEP-T1-RE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR182LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
SIHA21N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SIR576DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
