Производитель Номер продукта:
SIDR680DP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIDR680DP-T1-RE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 80 V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Инвентаризация:
5949 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977888
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIDR680DP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32.8A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5150 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8DC
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIDR680DP-T1-RE3TR
742-SIDR680DP-T1-RE3DKR
742-SIDR680DP-T1-RE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ464EP-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SI2369DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI2302CDS-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
