Производитель Номер продукта:
SIDR870ADP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIDR870ADP-T1-RE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 100 V 21.8A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Инвентаризация:
22399 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987476
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIDR870ADP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21.8A (Ta), 95A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2866 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8DC
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIDR870ADP-T1-RE3TR
742-SIDR870ADP-T1-RE3DKR
742-SIDR870ADP-T1-RE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM2N7002KCU
60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW
2SJ358-T1-AZ
2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET
TW048N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
