Производитель Номер продукта:
SIE726DF-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIE726DF-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Инвентаризация:
12786125
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIE726DF-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
SkyFET®, TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7400 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
10-PolarPAK® (L)
Упаковка / Чехол
10-PolarPAK® (L)
Базовый номер продукта
SIE726
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
SIHD7N60ET4-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
SIS444DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
