Производитель Номер продукта:
SIE800DF-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIE800DF-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Инвентаризация:
12918628
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIE800DF-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1600 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
10-PolarPAK® (S)
Упаковка / Чехол
10-PolarPAK® (S)
Базовый номер продукта
SIE800
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI7658ADP-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3466
Номер части
SI7658ADP-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.19
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUM70040M-GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
SQP50P03-07_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
