Производитель Номер продукта:
SIE810DF-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIE810DF-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Подробное описание:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Инвентаризация:
12920451
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIE810DF-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13000 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
10-PolarPAK® (L)
Упаковка / Чехол
10-PolarPAK® (L)
Базовый номер продукта
SIE810
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIE810DF-T1-GE3CT
SIE810DF-T1-GE3DKR
SIE810DF-T1-GE3-DG
SIE810DF-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUM90N08-7M6P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A TO263
SIRA24DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIA462DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
