Производитель Номер продукта:
SIE844DF-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIE844DF-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 44.5A (Tc) 5.2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (U)
Инвентаризация:
12916320
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIE844DF-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
44.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 12.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2150 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
10-PolarPAK® (U)
Упаковка / Чехол
10-PolarPAK® (U)
Базовый номер продукта
SIE844
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQS482ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W
SUM110N04-2M1P-E3
MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
SIS476DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
