Производитель Номер продукта:
SIE848DF-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIE848DF-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Инвентаризация:
12916379
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIE848DF-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6100 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
10-PolarPAK® (L)
Упаковка / Чехол
10-PolarPAK® (L)
Базовый номер продукта
SIE848
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIE848DFT1GE3
SIE848DF-T1-GE3CT
SIE848DF-T1-GE3TR
SIE848DF-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI7658ADP-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3466
Номер части
SI7658ADP-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.19
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHF23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
SQJ858EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
SUP70030E-GE3
MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
