Производитель Номер продукта:
SIE854DF-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIE854DF-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Инвентаризация:
12955054
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIE854DF-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14.2mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3100 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
10-PolarPAK® (L)
Упаковка / Чехол
10-PolarPAK® (L)
Базовый номер продукта
SIE854
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIR846ADP-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SIR846ADP-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.86
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RJK0230DPA-WS#J5A
N-CHANNEL POWER MOSFET
SISS30LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
IRF520PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
