SIHA14N60E-GE3
Производитель Номер продукта:

SIHA14N60E-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHA14N60E-GE3-DG

Описание:

N-CHANNEL 600V
Подробное описание:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Инвентаризация:

1696 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987232
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHA14N60E-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1205 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
147W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
742-SIHA14N60E-GE3CT-DG
742-SIHA14N60E-GE3DKRINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR
742-SIHA14N60E-GE3CTINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR-DG
742-SIHA14N60E-GE3CT
742-SIHA14N60E-GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJQ1916_R1_00201

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

diodes

DMT64M1LPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMN3066L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

vishay-siliconix

SIS184LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE