Производитель Номер продукта:
SIHA180N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHA180N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Инвентаризация:
12785982
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHA180N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1085 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
SIHA180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SIHA180N60E-GE3DKR
SIHA180N60E-GE3TR
SIHA180N60E-GE3CT-DG
SIHA180N60E-GE3DKR-DG
SIHA180N60E-GE3TR-DG
SIHA180N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHA180N60E-GE3CT
SIHA180N60E-GE3CTINACTIVE
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
SIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
SIS424DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
