Производитель Номер продукта:
SIHA20N50E-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHA20N50E-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 19A TO220
Подробное описание:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Инвентаризация:
12786301
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHA20N50E-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
34W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
SIHA20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SIHA20N50E-E3-DG
742-SIHA20N50E-E3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUD35N10-26P-E3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
SISA34DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
SIHW30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
