Производитель Номер продукта:
SIHA21N65EF-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHA21N65EF-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Инвентаризация:
12786800
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHA21N65EF-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2322 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
SIHA21
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJQ410EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
SIHB12N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
SIHB12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
