Производитель Номер продукта:
SIHA22N60EL-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHA22N60EL-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL600V
Подробное описание:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Инвентаризация:
1000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977729
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHA22N60EL-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
197mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1690 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
742-SIHA22N60EL-GE3CT
742-SIHA22N60EL-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHFR9310TRR-GE3
MOSFET P-CHANNEL 400V
SQ3410EV-T1_BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ414EP-T1_BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET