Производитель Номер продукта:
SIHB12N50E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB12N50E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12786542
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB12N50E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
886 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
114W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
SIB406EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
SIHB100N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
