Производитель Номер продукта:
SIHB15N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB15N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
1349 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787105
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB15N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
180W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB15
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SIHB15N60EGE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
SIR418DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
SQD50N04-4M5L_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
