Производитель Номер продукта:
SIHB180N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB180N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12786768
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB180N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Bulk
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1085 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SIHB180N60E-GE3DKR-DG
SIHB180N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHB180N60E-GE3CT
SIHB180N60E-GE3TR
SIHB180N60E-GE3CTINACTIVE
SIHB180N60E-GE3DKR
SIHB180N60E-GE3TR-DG
SIHB180N60E-GE3CT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
R6024ENJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
831
Номер части
R6024ENJTL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.59
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB28N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB28N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.53
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB65R150CFDAATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1192
Номер части
IPB65R150CFDAATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.90
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB60R165CPATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3135
Номер части
IPB60R165CPATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.21
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIRC06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8
SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
SIR670DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
